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2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发乐成，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产物上通过验证。作为业内首款128层QLCmatch规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产物中最高单元面积贮储密度，最高I/O传输速率和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此ci同时宣布的尚有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以知足差异应用chang景的需求。
▲ 长江存储 X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND
2016年3月28日，投资240亿美元的国家存储器基地项目正式启动。2018年4月，习近平总书记在汉考察国家存储器基地项目时，要求加速在芯片手艺上实现重大突破，勇攀天下半导体存储科技岑岭。国家存储器基地项目实验主体长江存储科技有限责任公司是一家以市chang需求为导向的，以商业乐成为目的的IDM存储器解决方案公司，力争用创新手艺推动存储行业生态的良性生长。2017至2019年间，长江存储陆续推出了32层、64层3D NAND闪存芯片糰n娲⑵鹘饩龇桨�，获得了市chang的认可。现在，基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片已实现量产，最新128层QLC 3D NAND闪存已研发乐成。
为贯彻落实湖北“一芯两带三区”工颐魅战略，推动“一芯驱动”高质量生长，尊龙凯时人生就是搏基金起劲加入了国家存储器基地项目的一期zeng资，全力支持项目建设，为加速打造湖北集成电路工业集群孝顺基金实力。
部门内容泉源：长江存储科技有限责任公司
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